EMI抑制器件在实际应用中遇到的常见问题

使用EMI 抑制器件可以有效的降低设备的对外辐射， 满足 EMC 相关标准要求，也是解决 EMC 问题的一个好方法。但是电容， 娄底干式变压器，共模厄流圈，接口滤波器，磁珠等 EMI 抑制器件对于设备的功能没有本质上的影响，也就是说设备有和没有这些器件， 对设备的功能设计来说，没有多大影响。 这就导致了一个问题:什么时候什么地方该用什么抑制器件？

产品设计人员在设计阶段即使考虑了 EMC，但是他也并不知道这个可能会引起多大的对外干扰，因此不可避免的存在使用不合理的问题。产品在设计出来以后， 经过测试，可以判断哪个地方需要增加使用 EMI 抑制器件，然后再进行改板重新设计。 这样做的结果是导致了产品设计周期过长，增加了设计成本。要合理的使用 EMI 抑制器件需要长期的 MEC 设计经验。

器件导致的EMI 案例分析

由于器件原因导致的辐射发射，通常是由于滤波器件不能有效遏制内部的干扰造成的。这种情况下用近场探头比较容易的定位出问题的所在。还有一种情况就是所选接口器件本身就是辐射源，譬如光电转换器。这两种情况是器件原因导致辐射发射超标最常见的情况。

IC 器件导致的辐射发射情况在测试中也可以定位出来，但往往与 PCB 上的布局布线或者匹配有关。 辐射发射测试是对系统进行的远场测试，我们可以通过接收到的频谱图进行分析辐射源的性质，然后通过切断 PCB 上走线的方法来判断哪个器件是辐射源；找到辐射源以后，再分析走线上的信号质量。解决这一类问题，往往需要更换匹配或者重新布线，改善信号质量或者将产生干扰的走线埋到内层。